對(duì)于鈣鈦礦太陽能電池、疊層和多結(jié)太陽能電池的精準(zhǔn)測(cè)量,雙燈/雙源太陽光模擬器能更好的避免光譜失配對(duì)測(cè)試的影響,從而提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
評(píng)估光譜失配對(duì)鈣鈦礦太陽能電池測(cè)試的影響,需要結(jié)合理論量化和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,通過針對(duì)性分析關(guān)鍵參數(shù)的偏差規(guī)律、材料特性的依賴性及測(cè)試重復(fù)性,明確誤差來源和程度。以下是具體的評(píng)估方法和步驟:
一、核心量化指標(biāo):光譜失配因子(MMF)的計(jì)算
光譜失配因子(Mismatch Factor, MMF)是評(píng)估光譜失配程度的核心參數(shù),其物理意義是 “測(cè)試條件下電池的短路電流與標(biāo)準(zhǔn)條件(AM 1.5G)的比值",直接反映光譜失配對(duì) Jsc 的影響。計(jì)算公式如下:
計(jì)算步驟與意義:
1. 測(cè)量關(guān)鍵輸入數(shù)據(jù):
· 用光譜儀測(cè)量太陽光模擬器在鈣鈦礦吸收波段(300~1000 nm,根據(jù)帶隙調(diào)整)的Esim(λ);
· 測(cè)量電池的EQE(λ)(需確保 EQE 測(cè)試精度,尤其是吸收截止波長(zhǎng)附近)。
2. 計(jì)算 MMF:若 MMF=1,說明光譜十分匹配;
MMF>1 表明模擬器在電池敏感波段光強(qiáng)過高,測(cè)量 Jsc 被高估;
MMF<1 則 Jsc 被低估。
3. 校正 Jsc:通過J sc,校正=Jsc,測(cè)量×MMF消除光譜失配對(duì) Jsc 的一階誤差,這是評(píng)估的基礎(chǔ)。
二、關(guān)鍵性能參數(shù)的偏差分析
光譜失配的影響需通過對(duì)比“失配光譜下的 IV 參數(shù)" 與 “標(biāo)準(zhǔn)光譜下的理論 / 校準(zhǔn)值",量化各參數(shù)的偏差幅度:
1. 短路電流密度(Jsc)偏差
· 直接偏差:通過 MMF 計(jì)算理論偏差(ΔJ sc=J sc,測(cè)量?Jsc,校正),并計(jì)算相對(duì)偏差(ΔJ sc/J sc,校正×100%)。
· 判斷建議:AAA 級(jí)模擬器在鈣鈦礦吸收波段(300~800 nm)的相對(duì)偏差若> 15%,說明光譜失配嚴(yán)重。
· 波長(zhǎng)依賴性驗(yàn)證:結(jié)合 EQE 曲線,定位偏差主要來源波段。例如,若 EQE 在 500 nm 處峰值較高,而模擬器 500 nm 光強(qiáng)比標(biāo)準(zhǔn)譜低,則該波段是 Jsc 偏差的主因。
2. 開路電壓(Voc)偏差
· 測(cè)量不同光譜條件下的 Voc(如通過濾光片改變模擬器光譜分布,保持總光強(qiáng)一致),計(jì)算相對(duì)偏差(ΔVoc/Voc,校正×100%)。
· 分析規(guī)律:若短波(<500 nm)光強(qiáng)不足導(dǎo)致 Voc 下降,說明載流子濃度降低是主因;若長(zhǎng)波過強(qiáng)導(dǎo)致 Voc 下降,可能是溫度升高(需同步監(jiān)測(cè)電池溫度)。
3. 填充因子(FF)與效率(PCE)的連鎖偏差
· 計(jì)算 FF 的相對(duì)偏差(ΔFF=(FF測(cè)量?FF校正)/FF校正×100%),其中FF校正需結(jié)合校正后的 Jsc 和 Voc 重新計(jì)算。
· PCE 總偏差:通過ΔPCE=(PCE測(cè)量?PCE校正)/PCE校正×100%評(píng)估,若偏差較大,則需重新校準(zhǔn)光譜。
三、滯后效應(yīng)與重復(fù)性的評(píng)估
光譜失配對(duì)鈣鈦礦 IV 曲線的滯后和重復(fù)性影響需通過統(tǒng)計(jì)分析驗(yàn)證:
滯后程度波動(dòng):
· 在同一模擬器下,重復(fù)測(cè)量正掃(從 Voc 到 Jsc)和反掃(從 Jsc 到 Voc)的 IV 曲線,計(jì)算滯后因子(HF=(PCE反掃?PCE正掃)/PCE反掃×100%)。
· 對(duì)比不同光譜條件(如更換模擬器或調(diào)整濾光片)下的 HF 分布,若相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD)較大,說明光譜失配加劇了滯后不穩(wěn)定性。
四、組分依賴性評(píng)估(針對(duì)不同帶隙鈣鈦礦)
由于鈣鈦礦帶隙(吸收截止波長(zhǎng))隨組分變化,需評(píng)估光譜失配的差異化影響:
1. 窄帶隙鈣鈦礦(如 1.2~1.4 eV,吸收至 900 nm):
· 重點(diǎn)驗(yàn)證 700~900 nm 波段的光譜匹配,計(jì)算該波段的子 MMF(僅積分 700~900 nm),若子 MMF 偏差較大,則 Jsc 總偏差會(huì)顯著增大。
注:光譜對(duì)比圖:
-雙光源太陽光模擬器光譜從300nm~1200nm與AM1.5G標(biāo)準(zhǔn)光譜幾乎十分吻合;
-單氙燈太陽光模擬器光譜則在750nm以后出現(xiàn)很高的峰值和很低的谷值,雖然是A 級(jí)或A+級(jí)光譜,但光譜匹配在小范圍內(nèi)仍然較差!
-對(duì)于疊層太陽能電池,中/底電池的主要光譜吸收集中在700nm以后波段,因此,在單燈太陽光模擬器上不可避免的會(huì)產(chǎn)生較大誤差;而雙燈/雙光源太陽光模擬器可以有效避免該因素影響。
2. 寬帶隙鈣鈦礦(如 1.6~1.8 eV,吸收至 680 nm):
· 重點(diǎn)驗(yàn)證 350~600 nm 波段的光譜匹配,同時(shí)監(jiān)測(cè) Voc 偏差,若該波段光強(qiáng)波動(dòng)導(dǎo)致 Voc RSD較大,則需針對(duì)性校準(zhǔn)。
3. 對(duì)比實(shí)驗(yàn):用同一模擬器測(cè)試不同帶隙的鈣鈦礦,繪制“帶隙 - 參數(shù)偏差" 曲線,明確模擬器光譜的 “敏感波長(zhǎng)區(qū)間"。
五、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證:控制變量法與標(biāo)準(zhǔn)電池校準(zhǔn)
1. 控制變量法:
· 保持總光強(qiáng)(100 mW/cm2)不變,通過更換濾光片(如短波截止濾光片、長(zhǎng)波截止濾光片)改變模擬器光譜分布,測(cè)量 IV 參數(shù)變化。
· 例如:加 650 nm 截止濾光片(移除 > 650 nm 光)后,寬帶隙鈣鈦礦(吸收至 680 nm)的 Jsc 應(yīng)顯著下降,若下降幅度與 EQE 預(yù)測(cè)偏差較大,說明原光譜在該波段失配。
2. 標(biāo)準(zhǔn)電池對(duì)比:
· 使用經(jīng)認(rèn)證的鈣鈦礦標(biāo)準(zhǔn)電池(或已知性能的參考電池),在待測(cè)太陽光模擬器和高精度標(biāo)準(zhǔn)太陽光模擬器(如雙燈太陽光模擬器、A+A+A 級(jí),光譜匹配誤差 < ±10%(<±5%更好 MS級(jí)))上分別測(cè)試,對(duì)比參數(shù)偏差。
· 若待測(cè)太陽光模擬器的 Jsc 與標(biāo)準(zhǔn)值偏差較大,且通過 MMF 校正后仍較大,則需重新校準(zhǔn)模擬器光譜。
總結(jié):評(píng)估流程與合格標(biāo)準(zhǔn)
1. 計(jì)算 MMF 并校正 Jsc,確保 Jsc 相對(duì)偏差足夠小;
2. 分析 Voc、FF、PCE 的連鎖偏差,總 PCE 偏差足夠小;
3. 驗(yàn)證滯后因子和參數(shù)重復(fù)性,使得RSD足夠小;
4. 針對(duì)鈣鈦礦組分(帶隙),評(píng)估敏感波段的光譜匹配,子波段 MMF 偏差足夠小。
通過以上步驟,可系統(tǒng)量化光譜失配的影響程度,為測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性提供依據(jù)。對(duì)于高精度研究,采用雙燈/雙源太陽光模擬器(光譜不匹配度<±10%A+ 級(jí) or ±5%MS級(jí))是一個(gè)理想的選擇。